상반기 매출 30조 폭발한 중국 창신메모리…내일 한국 반도체 증시 흔들까

중국 최대 D램 제조업체 창신메모리(CXMT)가 인공지능(AI) 수요 급증과 D램 가격 상승에 힘입어 올해 상반기 매출액 1503억 1000만 위안을 기록하며 전년 동기 대비 873.6% 급증한 실적을 내놓은 가운데, 오는 31일 개장하는 국내 증시에서 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 반도체주 주가 및 외국인 수급에 미칠 여파에 시장의 관심이 쏠리고 있다.

김운호 IBK투자증권 연구원은 증설로 웨이퍼 생산이 늘더라도 출하량 증가를 의미하는 것은 아니라며 핵심은 기술의 완성도와 효율성이라고 설명했다. 2분기 기준 창신메모리의 월간 웨이퍼 생산능력은 약 30만 장으로 미국 마이크론과 유사한 수준이지만, 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 실제 D램 생산 용량은 마이크론이 2만 612기가비트(Gb)인 것에 비해 창신메모리는 5746기가비트에 머물러 생산 효율이 마이크론의 4분의 1 수준에 그친다.

중국 최대 D램 제조업체 창신메모리(CXMT)가 인공지능(AI) 수요 급증과 D램 가격 상승에 힘입어 올해 상반기 매출액 1503억 1000만 위안을 기록하며 전년 동기 대비 873.6% 급증한 실적을 내놓은 가운데, 오는 31일 개장하는 국내 증시에서 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 반도체주 주가 및 외국인 수급에 미칠 여파에 시장의 관심이 쏠리고 있다.

창신메모리가 최근 상하이증권거래소 과창판 공시를 통해 밝힌 올해 상반기 매출은 1503억 1000만 위안(약 30조8000억 원)에 달한다. 지난해 같은 기간 매출과 비교하면 9배가 넘는 성장을 이뤄냈다. 상장 전 회사가 제시했던 상반기 매출 전망치인 1100억~1200억 위안도 크게 넘어섰다. 당기순이익 역시 776억 500만 위안(약 16조 원)을 올리며 지난해 상반기 23억 3000만 위안(약 4700억 원) 적자에서 대규모 흑자로 전환했다. 주력 사업 매출의 46.3%에 해당하는 694억 7000만 위안(약 14조 2000억 원)을 PC와 서버용 데이터 전송 규격(DDR) 제품 판매로 거둬들였다.

글로벌 데이터센터 투자 확대에 따라 서버용 메모리 수요가 늘어난 상황에서 주요 반도체 제조업체들이 고대역폭메모리(HBM) 생산라인 구축에 집중하면서 범용 D램 시장의 공급 부족 현상이 심화했다. 창신메모리는 시장 가격 상승 국면에서 판매량을 빠르게 늘려 실적 개선을 끌어냈다. 지난달 27일 상하이 증시 과창판에 상장한 창신메모리의 시가총액은 28일 종가 기준 3조 9780억 위안(약 815조 8000억 원)을 나타내며 중국 A주 상장사 가운데 1위 자리에 올랐다.

실적 공시 발표 직후 금융투자업계의 시선은 다가오는 31일 국내 증시 개장으로 향하고 있다. 앞서 28일 국내 증시에서는 중국 메모리 업체의 증설과 기술 추격 우려가 선반영되며 삼성전자가 전 거래일 대비 3.38% 내린 25만 7000원, SK하이닉스가 4.45% 내린 165만 3000원에 거래를 마친 바 있다. 주말 동안 공시된 창신메모리의 대규모 흑자 전환과 매출 폭증 데이터가 오는 31일 월요일 개장 이후 한국 반도체 대장주들의 주가 방향성과 외국인 매매 동향을 실질적으로 좌우할 핵심 변수로 떠올랐다. 전문가들은 창신메모리가 호황기에 확보한 현금과 상장 조달 자금을 바탕으로 생산능력을 가파르게 확대할 경우 범용 D램 시장에서 중장기적인 공급 과잉 압력으로 작용할 수 있다고 본다.

반도체 업계와 전문가 그룹에서는 과도한 차이나칩 포비아(중국산 반도체 공포증)를 경계하는 목소리도 높다. 단순히 공장을 늘려 웨이퍼 생산량을 증대하더라도 실제 출하할 수 있는 고성능 칩의 양과 기술 효율성에는 커다란 차이가 존재하기 때문이다.

김운호 IBK투자증권 연구원은 증설로 웨이퍼 생산이 늘더라도 출하량 증가를 의미하는 것은 아니라며 핵심은 기술의 완성도와 효율성이라고 설명했다. 2분기 기준 창신메모리의 월간 웨이퍼 생산능력은 약 30만 장으로 미국 마이크론과 유사한 수준이지만, 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 실제 D램 생산 용량은 마이크론이 2만 612기가비트(Gb)인 것에 비해 창신메모리는 5746기가비트에 머물러 생산 효율이 마이크론의 4분의 1 수준에 그친다.

공정 기술의 격차도 걸림돌이다. 국내 선두 업체인 삼성전자와 SK하이닉스는 1b 나노 공정을 주력으로 운용하며 1c나노(6세대) 공정 전환을 준비하는 실정이다. 창신메모리의 주력 공정은 1x 나노(1세대 18나노급)에 고착되어 있어 2027년 말까지도 유지될 것으로 예상된다. D램 미세 공정이 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 순으로 단계적으로 발전한다는 점을 고려하면 양측의 기술 수준은 다섯 세대 가량 격차가 벌어져 있다. 미세 공정이 뒤처지면 칩 크기가 커져 단위 면적당 생산량이 급감하고 전력 효율성 및 처리 속도 측면에서도 열세를 면하기 어렵다.

국제 정치적 규제 환경 역시 중국 반도체 산업의 기술 추격을 제한하는 요소다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 중국 인공지능 기업들이 태국과 싱가포르 등 제3국 데이터센터 서버에 원격 접속해 첨단 반도체를 우회 사용하는 허점을 막기 위한 신규 수출 통제 규정을 수립하고 있다. 최신 미국산 AI 반도체에 대한 원격 접근 경로마저 차단될 경우 고성능 연산 자원 확보에 차질이 생기면서 중국 내 인공지능 모델 학습과 첨단 메모리 수요 선순환 구조에 직접적인 타격이 불가피하다. 극자외선 등 첨단 제조 장비의 중국 반입 제한이 지속되는 이상 기술 격차 축소는 난항을 겪을 수밖에 없다.